SiC碳化硅功率MOSFET模组失效分析与测试方案设计：从BVDSS骤降99%实测数据到全流程可靠性体系

基于1200V/180A级SiC碳化硅功率模组真实复测数据，详解碳化硅MOSFET失效模式判读（BVDSS从1596V骤降至41V、VGSTH漂移至12.8V、RDSON增大15倍）、19项参数测试矩阵与来料检验方案，为储能、UPS、光伏逆变器功率设计提供工程参考。